RQ3E080BNTB

制造商零件编号
RQ3E080BNTB
制造商
Rohm Semiconductor
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-
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描述
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
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制造商 :
Rohm Semiconductor
产品分类 :
晶体管 - FET、MOSFET - 单
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
660 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max) :
2W (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.2mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
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